单相式 MCR：由三个独立的单相电抗器组成三相系统，每个单相电抗器通过独立的直流控制绕组调节磁饱和程度。这种结构灵活性高，可针对三相不平衡负载进行分相调节。
三相式 MCR：采用三相共铁芯结构，三个绕组在同一铁芯上耦合，通过一组直流控制绕组实现三相统一调节。其结构紧凑，成本相对较低。
自耦式 MCR：控制绕组与工作绕组存在电气连接，通过自耦变压原理调节铁芯磁通量，结构简单，损耗较低。
隔离式 MCR：控制绕组与工作绕组电气隔离，通常采用变压器耦合方式传递控制信号，安全性高，抗干扰能力强。
可控硅控制式 MCR：通过可控硅调节直流控制绕组电流，快速改变铁芯饱和程度，响应速度快，调节精度高。
磁阀式 MCR：利用铁芯上的磁阀（局部饱和区域）控制磁通量，通过调节磁阀的饱和深度实现无功调节，结构简单，可靠性高。
单相式 MCR：适用于三相负载严重不平衡的工业场景，如电弧炉、电气化铁路供电系统。
三相式 MCR：常用于三相负载相对平衡的电网，如变电站集中无功补偿、风电场辅助补偿。
自耦式 MCR：适合对成本和效率要求高、安全性要求较低的场合，如小型配电网。
隔离式 MCR：适用于对电气隔离和抗干扰要求严格的场景，如化工、矿山等电磁环境复杂的工业领域。
可控硅控制式 MCR：适用于对响应速度和调节精度要求高的动态无功补偿场景，如光伏电站电压稳定控制。
磁阀式 MCR：适合对可靠性要求高、对响应速度要求相对较低的场景，如农村配电网长期无功调节。
